新突破:再生長GaN LED燈珠
2020-11-26
GaN是氮和鎵的化合物。 GaN氮化鎵LED燈珠是屬于直接能隙之半導體材料,其能隙為3.4ev, 而aln為6.3ev, inn為2.0ev,將這幾種材料做成混晶時,可以將能隙從2.0ev連續改變到6.3ev,因此可以獲得從紫外線、紫光、藍光、綠光到黃光等范圍的顏色。 美國康奈爾大學聯合諾特丹大學以及IQE RF LLC公司共同研發出一款再生長GaN氮化鎵LED燈珠;該器件的底層結構由氮化鎵襯底構成,再通過金屬有機化合物化學氣相沉淀(MOCVD)工藝在其表面生長8微米厚含